Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDI047AN08A0
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDI047AN08A0
FDI047AN08A0 Hakkında
FDI047AN08A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi (Vdss) ve 80A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.7mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. I²Pak (TO-262) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, enerji dönüştürücüler ve yüksek akımlı anahtar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Bileşen ürün yaşam döngüsünde Obsolete konumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok