Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDI045N10A
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDI045N10A
FDI045N10A Hakkında
FDI045N10A, onsemi tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistörüdür. 120A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketi ile Through Hole montajına uygun, 4.5mΩ düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Gate Charge 74nC (10V) seviyesinde, maksimum 263W güç dağıtabilir. Hızlı anahtarlama ve düşük kapasitans özellikleri sayesinde verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5270 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok