Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDI038AN06A0
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDI038AN06A0
FDI038AN06A0 Hakkında
FDI038AN06A0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (3.8mΩ @ 80A, 10V) sayesinde ısı kaybını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 310W güç saçma kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok