Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDI038AN06A0
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDI038AN06A0
FDI038AN06A0 Hakkında
FDI038AN06A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 80A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 3.8mΩ (10V, 80A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C arası sıcaklık ortamlarında kullanılabilir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde uygulanır. 310W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok