Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDI025N06
MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDI025N06
FDI025N06 Hakkında
FDI025N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 265A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.5mOhm on-resistance değeri sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. Maksimum 395W güç dağıtımı kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 265A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 226 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14885 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 395W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok