Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDH50N50
MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDH50N50
FDH50N50 Hakkında
FDH50N50, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 48A sürekli dren akımı kapasitesine ve 625W maksimum güç dağılımına sahiptir. Rds(on) değeri 10V gate gerilimi altında 105mOhm'dur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FDH50N50, yüksek voltaj güç elektronik uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Gate charge karakteristiği 137nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar. Through-hole montaj türüyle PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok