Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDH038AN08A1
MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDH038AN08A1
FDH038AN08A1 Hakkında
FDH038AN08A1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilim kapasitesi ile düşük RDS(on) değeri (3.8mΩ @ 80A, 10V) sunar. 22A sürekli akım (Ta) veya 80A (Tc) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipi ile yüksek güç disipasyonu (450W) gerektiren uygulamalarda monte edilir. Gate charge karakteristiği (160nC @ 10V) hızlı anahtarlama sağlar. Endüstriyel sürücüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8665 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 450W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok