Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDG410NZ

MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG410

FDG410NZ Hakkında

FDG410NZ, onsemi tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak gerilimi ve 2.2A sürekli dren akımı ile şarj kontrolü, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 70mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük ısıl kayıp sağlar. SC-88 (SOT-363) yüzey montajlı paketi kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, 420mW güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok