Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDG410NZ
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDG410N
FDG410NZ Hakkında
FDG410NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SC-88 (SOT-363) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 70mOhm RDS(on) değeri ile düşük açık direnci sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve mobil cihaz tasarımlarında kullanılır. 4.5V gate sürüş gerilimi ile hızlı ve verimli komutasyon sağlar. Maksimum 420mW güç tüketimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 420mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok