Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDG361N

MOSFET N-CH 100V 600MA SC88

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG361N

FDG361N Hakkında

FDG361N, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim (Vdss) ve 600mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SC-88 (6-TSSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 500mOhm RDS(on) değerine ve 5nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında, maksimum 420mW güç tüketimi ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılabilir. Düşük gate kapasitansi (153pF @ 50V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok