Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDG329N

MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG329N

FDG329N Hakkında

FDG329N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6-TSSOP (SC-88) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük açık devre direnci (90mΩ @ 4.5V) ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığına dayanır. Gate charge değeri 4.6nC @ 4.5V olup, input capacitance 324pF @ 10V'dur. Düşük güç uygulamaları, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve sinyal kontrolü gibi uygulamalarda kullanılır. ±12V maksimum gate-source gerilimi ile çalışabilir ve 420mW güç dağıtabilir. Not: Bu bileşen kullanım dışı (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 324 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok