Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDG326P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDG326P
FDG326P Hakkında
FDG326P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim desteği ve 1.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu bileşen, 6-TSSOP (SC-88) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, tüketim elektroniği, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve sinyal anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 750mW maksimum güç tüketimi ile termal tasarımda avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 467 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok