Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDG316P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDG316P
FDG316P Hakkında
FDG316P, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ve 1.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile analogdan sayısal uygulamalara kadar geniş kullanım alanına sahiptir. 190mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, anahtarlama devreleri, amplifikatörler, güç yönetimi ve RF uygulamalarında kullanılır. 6-TSSOP (SC-88) paketlemesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 750mW maksimum güç tüketimi ve 5nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama işlemleri destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok