Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDG315N
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDG315N
FDG315N Hakkında
FDG315N, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. SC-88 (SOT-363) yüzey montajlı paket ile sıkı alanlarda kullanılabilir. 120mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 750mW maksimum güç dağılımı yapabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük gerilim sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. NOT: Bu komponent üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok