Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDG315N
2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDG315N
FDG315N Hakkında
FDG315N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 2A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 6-TSSOP (SC-88/SOT-363) surface mount paketinde sunulan bu devre elemanı, düşük 120mOhm on-state direncine (Rds On) ve 4nC gate charge değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç denetimi, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi düşük güçlü anahtarlama devrelerinde kullanılır. 750mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok