Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDG314P

MOSFET P-CH 25V 650MA SC88

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG314P

FDG314P Hakkında

FDG314P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 650mA sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 6-TSSOP (SC-88) yüzey montajlı paket tipinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 750mW güç tüketebilir. 4.5V gate geriliminde 1.1Ω RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve kontrol uygulamalarında kullanılabilir. Düşük kapı yükü (1.5nC) hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 650mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 63 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok