Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDG314P

MOSFET P-CH 25V 650MA SC88

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG314P

FDG314P Hakkında

FDG314P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajı ve 650mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SC-88 (6-TSSOP, SOT-363) yüzey montajlı paket ile sunulur. 1.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Gate charge 1.5nC ve input capacitance 63pF değerleriyle hızlı komütasyon performansı sunar. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, yük kontrol devreleri ve ses amplifikatörleri gibi düşük güçlü analog ve dijital devrelerde kullanılır. Maximum 750mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 650mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 63 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok