Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDG313N

MOSFET N-CH 25V 950MA SC88

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG313N

FDG313N Hakkında

FDG313N, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 950mA sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri yerine getirir. 4.5V gate geriliminde 450mOhm maksimum on-direnci sayesinde minimal güç kaybı sağlar. SC-88 (SOT-363) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate yükü (2.3nC) ve düşük input kapasitansı (50pF) hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve küçük sinyal anahtarlama devreleri gibi uygulamalara uygundur. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 950mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok