Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDG313N

0.95A, 25V, N-CHANNEL, MOSFET

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG313N

FDG313N Hakkında

FDG313N, Rochester Electronics tarafından üretilen 25V kırılma voltajına sahip tek kanallı N-Channel MOSFET transistördür. 950mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 450mΩ maksimum RDS(On) değeri ile verimli güç transferi sağlar. 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) paket türünde üretilen komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanır. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri ve portatif elektronik ürünlerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 950mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok