Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDG312P
FDG312P Hakkında
FDG312P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 1.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SC-88 (SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, yük kontrolü ve sinyal anahtarlaması gibi alanlarda kullanılır. Düşük gate charge (5nC) ve küçük input capacitance (330pF) özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok