Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDG312P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDG312P
FDG312P Hakkında
FDG312P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SC-88 (SOT-363) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok