Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDG311N
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDG311N
FDG311N Hakkında
FDG311N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 1.9A sürekli dren akımı kapasitesiyle, düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 6-TSSOP (SC-88) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle taşınabilir cihazlar, güç yönetimi uygulamaları ve sinyal işlemede yaygın olarak kullanılır. 115mΩ maksimum on-direnci ve 750mW güç tüketim kapasitesiyle kompakt tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olması, geniş uygulama alanında kullanımını mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok