Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFS6N303

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDFS6N303

FDFS6N303 Hakkında

FDFS6N303, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 35mΩ RDS(on) değerine sahiptir. İzole Schottky diyotu özelliği ile çıkık kapabilir ve hızlı anahtar performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Düşük gate yükü (17nC @ 10V) ve düşük input kapasitansi (350pF @ 15V) sayesinde sürücü gereksinimlerini azaltır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok