Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFS6N303
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFS6N303
FDFS6N303 Hakkında
FDFS6N303, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 35mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. İzole edilmiş Schottky diyot özelliği barındıran FDFS6N303, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan bu MOSFET, 900mW maksimum güç tüketimi ile düşük kaybı anahtarlamalar sağlar. Entegre Schottky diyodu sayesinde ters akım koruması sunar. Üretici tarafından kullanımdan kaldırılan (obsolete) ürün olup, stok bulunduğu müddetçe tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok