Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFS2P753Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFS2P753Z
FDFS2P753Z Hakkında
FDFS2P753Z, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile 3A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, 115mOhm RDS(on) değerine sahiptir. Gümrük özellikleri içeren izole Schottky diyoda ile entegre edilmiş olup, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-SOIC pakette sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama kaynakları ve gerilim regülatörü tasarımlarında tercih edilir. 9.3nC gate charge ve 455pF input kapasitansı ile verimli gate sürüşü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok