Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFS2P753AZ

MOSFET P-CH 30V 3A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDFS2P753A

FDFS2P753AZ Hakkında

FDFS2P753AZ, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-pin SOIC yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, düşük açık direnci (115mOhm @ 3A, 10V) ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. İzole Schottky diyot özelliği ile entegre edilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Gate charge değeri 11nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları ve benzer düşük sinyal uygulamalarında uygun seçimdir. Part obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok