Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFS2P106A

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDFS2P106A

FDFS2P106A Hakkında

FDFS2P106A, onsemi tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 110mΩ on-direnç (10V, 3A'da) ile düşük enerji kaybı sağlar. Schottky diyot entegrasyonu ve izole yapısı sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve analog anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 714 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok