Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFS2P103A

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDFS2P103A

FDFS2P103A Hakkında

FDFS2P103A, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 59mOhm Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Entegre Schottky diyodu (izole) sayesinde üstün koruma özellikleri sunar. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında stabilitesi korunur. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve dönüştürücü uygulamalarında yaygın kullanım alanı vardır. 900mW maksimum güç dissipasyonu ile kompakt tasarımlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok