Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFS2P103A
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFS2P103A
FDFS2P103A Hakkında
FDFS2P103A, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj kapasitesiyle 5.3A sürekli dren akımı sağlayabilir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulmaktadır. Maksimum 59mOhm RDS(on) değeriyle düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. İzole edilmiş Schottky diyot entegrasyonu sayesinde ters akım koruması sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 900mW maksimum güç tüketimi ile sınırlı termal bütçeleri olan tasarımlara uygun bir seçenektir. Kompakt paket boyutu, yoğun PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. Mevcut durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok