Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFS2P103

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDFS2P103

FDFS2P103 Hakkında

FDFS2P103, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ve 5.3A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. 59mOhm maksimum RDS(on) değeri ve izole Schottky diyot özelliği ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Not: Bu parça artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 528 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok