Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFS2P103
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFS2P103
FDFS2P103 Hakkında
FDFS2P103, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 5.3A sürekli drain akımı ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Schottky diyot ile izole edilmiş tasarımı sayesinde hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. 59mOhm maksimum on-direnci, güç kaybını minimize eder. Surface mount 8-SOIC paket tipi ile modern elektronik tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC konvertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Komponentin mevcut durumu kullanımdan kaldırılmış (obsolete) olmasına rağmen, teknik specifikasyonları belirtilen uygulamalar için referans değer taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 528 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok