Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFS2P102A

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
FDFS2P102A

FDFS2P102A Hakkında

FDFS2P102A, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 3.3A maksimum sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC SMD paketinde sunulan bu bileşen, 125mOhm (10V, 3.3A) on-resistance değerine sahiptir. Schottky diode izolasyonu içerir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç anahtarlama uygulamaları, düşük voltajlı anahtarlama devreleri, load switching ve analog elektronik uygulamalarında kullanılır. 3nC gate charge ve 182pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 182 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok