Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFS2P102A
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFS2P102A
FDFS2P102A Hakkında
FDFS2P102A, Rochester Electronics tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 3.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 8-pin SOIC yüzey monte paketi içerisinde sunulan bu bileşen, izole Schottky diyot özelliğine sahiptir. 125mΩ maksimum on-resistance değeri (10V gate voltajında, 3.3A'de) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, anahtar uygulamaları, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 900mW güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 182 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok