Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFS2P102
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFS2P102
FDFS2P102 Hakkında
FDFS2P102, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 3.3A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, 125mΩ on-state direnç değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Entegre Schottky diyot özelliği içeren FDFS2P102, düşük güç tüketim gerektiren ses-video uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 10nC gate charge ve 270pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok