Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFMJ2P023Z
MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFMJ2P023Z
FDFMJ2P023Z Hakkında
FDFMJ2P023Z, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 2.9A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 112mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli iletim sağlar. Entegre Schottky diyot özelliği ile ters diyot koruma sunar. 6-WFDFN yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, batarya şarj kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.4W maksimum güç dissipasyonu ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür. Notlar: Bu bileşen obsolete konumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-75, MicroFET |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok