Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFMJ2P023Z

MOSFET P-CH 20V 2.9A SC75 MICROF

Paket/Kılıf
6-WFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDFMJ2P023Z

FDFMJ2P023Z Hakkında

FDFMJ2P023Z, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim değeri ve 2.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Schottky diyot entegrasyonu ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. 112mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SC-75/MicroFET paket formatında surface mount tasarımı, kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma garantilenmiştir. Motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, analog anahtar ve güç yönetim devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package SC-75, MicroFET
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok