Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFME3N311ZT

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-UFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDFME3N311Z

FDFME3N311ZT Hakkında

FDFME3N311ZT, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 6-UFDFN Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 299mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. İzole edilmiş Schottky diyot içermesi ve düşük gate charge değeri (1.4nC) hızlı anahtarlama uygulamaları için uygunluğunu artırır. Kontrol devreleri, güç yönetimi ve sinyal anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen şu anda kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 75 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Supplier Device Package 6-MicroFET (1.6x1.6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok