Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6UMLP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFME3N311Z
FDFME3N311ZT Hakkında
FDFME3N311ZT, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışan bu komponent, 1.8A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 6-UFDFN (1.6x1.6mm) SMD paketinde sunulan bu FET, 299mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Işletim sıcaklığı -55°C ile 150°C arasında değişen bu transistör, maksimum 600mW güç yayabilir. 1.4nC gate charge ve 75pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Genellikle AC-DC güç kaynakları, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-UMLP (1.6x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok