Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFME2P823ZT
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFME2P823Z
FDFME2P823ZT Hakkında
FDFME2P823ZT, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drain akımı özellikleriyle kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. 6-UFDFN (1.6x1.6mm) yüzey montajlı paket ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyum sağlar. Schottky diyot özelliği içermesi ve düşük gate yükü (7.7nC) ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.4W güç tüketimiyle pil yönetimi, DC-DC konvertörleri, yük anahtarlaması ve sinyal kontrolü gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok