Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFME2P823ZT
2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFME2P823Z
FDFME2P823ZT Hakkında
FDFME2P823ZT, Rochester Electronics tarafından üretilen 2.6A, 20V maksimum drain-source gerilimi ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 6-UFDFN (MicroFET) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 142mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Dahili Schottky diyodun (isolated) bulunması, hızlı anahtarlama uygulamalarında geri akım koruması sunar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. SMPS, voltage regulator, power management sistemleri ve anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.4W güç dissipasyon kapasitesi ve 7.7nC gate charge değeri ile hızlı ve verimli anahtarlama gerektiren tasarımlar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok