Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFMA3P029Z
MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFMA3P029Z
FDFMA3P029Z Hakkında
FDFMA3P029Z, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 3.3A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, 6-WDFN SMD paketinde sunulmaktadır. 87mΩ (10V, 3.3A koşullarında) düşük on-resistance değeri ve 1.4W maksimum güç tüketimi ile güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve load switching tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, düşük gate charge (10nC @ 10V) özellikleri sayesinde hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 87mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-MLP (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok