Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFMA3N109
MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFMA3N109
FDFMA3N109 Hakkında
FDFMA3N109, onsemi tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. 2.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (123mOhm @ 4.5V) sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-VDFN SMD paketinde sunulan transistör, entegre Schottky diyot içerir. -55°C ile +150°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Mobil cihazlar, DC/DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate charge değeri düşük (3nC) olup, hızlı komütasyon gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok