Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFMA2P853T
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFMA2P853T
FDFMA2P853T Hakkında
FDFMA2P853T, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 3A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, 120mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 6-VDFN (2x2mm) yüzeye monte paketinde sunulan transistör, dahili Schottky diyot içerir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.4W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. RoHS uyumludur ancak parça üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok