Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFMA2P853
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFMA2P853
FDFMA2P853 Hakkında
FDFMA2P853, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 3A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 6-VDFN exposed pad yüzey montajlı paket içerisinde sunulur. Schottky diyot özelliği ile entegre olup, 4.5V gate voltajında 120mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Kompakt boyutu ve düşük gate charge (6nC) sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 1.4W maksimum güç harcaması ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok