Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFMA2P029Z-F106
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
- Üretici
- Flip Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFMA2P029Z
FDFMA2P029Z-F106 Hakkında
FDFMA2P029Z-F106, Flip Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 3.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 95mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük ısı kaybı sağlar. İzole Schottky diyot özelliği bulunmaktadır. 6-VDFN (2x2mm) yüzey montajlı paketlemede sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasındaki sıcaklık aralığında çalışabilir. Dijital sinyal kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok