Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFMA2P029Z
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFMA2P029Z
FDFMA2P029Z Hakkında
FDFMA2P029Z, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 3.1A kontinü drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 95mΩ maksimum Rds(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot ile geri dönüş süresi iyileştirilmiştir. 6-VDFN (2x2mm) Surface Mount paketi sayesinde kompakt tasarımlar için idealdir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi düşük voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok