Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFMA2N028Z
MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFMA2N028Z
FDFMA2N028Z Hakkında
FDFMA2N028Z, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 3.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 6-VDFN (2x2mm) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre Schottky diyot içerir. 68mΩ (4.5V, 3.7A'de) on-state direnci ile düşük güç kaybında çalışır. Gate charge 6nC ve input capacitance 455pF olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve düşük voltaj uygulamalarında tercih edilir. Maksimum güç tüketimi 1.4W'tır. (Not: Bu ürün artık üretilmemektedir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok