Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDFM2P110

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDFM2P110

FDFM2P110 Hakkında

FDFM2P110, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 3.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 6-WDFN exposed pad paketinde sunulan bu bileşen, 140mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. Schottky diyot özelliği sayesinde voltaj kesimi uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen FDFM2P110, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve portatif cihazlarda kullanılan yüksek entegrasyonlu tasarımlarda tercih edilir. Düşük gate charge değeri (4nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package MicroFET 3x3mm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok