Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFM2P110
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFM2P110
FDFM2P110 Hakkında
FDFM2P110, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi, 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. MicroFET 3x3mm yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, 140mΩ üst limitli Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. Entegre Schottky diyod izolasyonu sayesinde anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir çalışma sağlar. Gate charge 4nC@4.5V, input kapasitans 280pF@10V değerleri ile hızlı komutasyon karakteristiğine sahiptir. Güç yönetimi, LED sürücü devreleri, pil şarj kontrol sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFET 3x3mm |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok