Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDFM2N111
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDFM2N111
FDFM2N111 Hakkında
FDFM2N111, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 4A sürekli akım kapasitesine sahiptir. MicroFET 3x3mm paket türünde üretilen bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (100mOhm @ 4A, 4.5V) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İzole edilmiş Schottky diyot özelliğine sahiptir. Taşınabilir cihazlar, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve düşük gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanım için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve Surface Mount montaj türü ile PCB'ye entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 273 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFET 3x3mm |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok